Mikrónové pásky vyradia 128-vrstvovú 3D NAND Flash pamäť



Micron Technology has taped out its 4th generation 3D NAND flash memory with 128 layers. This paves the way for mass production and product implementations in 2020. The 4th gen 3D NAND by Micron continues to use a CMOS-under-array design, but with Replacement Gate (RG) Technology instead of Floating Gate, which Micron and the erstwhile IMFlash Technology had been using for years. Micron is currently mass-producing 96-layer 3D NAND flash, and TLC remains the prominent data-storage physical layer despite the advent of QLC (4 bits per cell).

Spoločnosť Micron poznamenáva, že tento 128-vrstvový 3D NAND 4. generácie bude zarážkou obmedzenou na niekoľko vybraných aplikácií a jeho prijatie nemusí vidieť ako svoje súčasné 96-vrstvové čipy. Zdá sa, že spoločnosť sa viac zameriava na svoj vývoj, možno na 5. generáciu 3D NAND 5. generácie, od ktorej sa očakáva, že prinesie spoločnosti hmatateľné zisky, pretože prejde na novší uzol na výrobu kremíka a okrem nových technológií implementuje aj nové technológie. RG. „Naše prvé matrice sme dosiahli pomocou náhradnej brány alebo skratky„ RG “. Tento medzník ďalej znižuje riziko prechodu na RG. Pripomíname, že náš prvý uzol RG bude mať 128 vrstiev a použije sa na vybratú súpravu produktov. Neočakávame, že RG prinesie zmysluplné zníženie nákladov až do roku 2012, keď je náš uzol RG druhej generácie všeobecne nasadený. V dôsledku toho očakávame vo FY2020 minimálne zníženie nákladov v prípade NAND. Náš prístup k zavádzaniu výroby RG optimalizuje návratnosť investícií do NAND kapitálu, “uviedol Sanjay Mehrotra, generálny riaditeľ a prezident spoločnosti Micron.


Source: AnandTech