Spoločnosť Samsung oznamuje komplexnú procesnú mapu až do 4 nm
Samsung stands as a technology giant in the industry, with tendrils stretching out towards almost every conceivable area of consumer, prosumer, and professional markets. It is also one of the companies which can actually bring up the fight to Intel when it comes to semiconductor manufacturing, with some analysts predicting the South Korean will dethrone Intel as the top chipmaker in Q2 of this year. Samsung scales from hyper-scale data centers to the internet-of-things, and is set to lead the industry with 8nm, 7nm, 6nm, 5nm, 4nm and 18nm FD-SOI in its newest process technology roadmap. The new Samsung roadmap shows how committed the company is (and the industry with it) towards enabling the highest performance possible from the depleting potential of the silicon medium. The 4 nm 'post FinFET' structure process is set to be in risk production by 2020.
Toto oznámenie tiež poukazuje na to, že spoločnosť Samsung opakovane používala technológiu EUV (Extreme Ultra Violet) na výrobu oblátok, čo je technológia, ktorá bola dlho považovaná za záchrancu hustejších procesov, ale kvôli svojej komplexnosti bola nakoniec vytlačená z prijatia na trh. Kelvin Low, hlavný riaditeľ marketingu zlievarne spoločnosti Samsung, uviedol, že „magické číslo“ produktivity (ako v prípade udržateľného pomeru investícií a návratnosti) pri EUV je 1 500 doštičiek denne. Spoločnosť Samsung už prekročila 1 000 doštičiek denne a má vysokú mieru istoty, že je možné dosiahnuť 1 500 doštičiek denne.
Najnovšie technológie a riešenia zlievárenských procesov spoločnosti Samsung predstavené na výročnom fóre Samsung Foundry Forum zahŕňajú:
8LPP (8nm Low Power Plus)
8LPP poskytuje najkonkurenčnejšiu výhodu mierky pred prechodom na litografiu EUV (Extreme Ultra Violet). Kombinácia kľúčových inovácií procesov z 10nm technológie spoločnosti Samsung ponúka 8LPP v porovnaní s 10LPP ďalšie výhody v oblasti výkonu a hustoty brány.
7LPP (7nm Low Power Plus)
7LPP bude prvou technológiou v oblasti polovodičov, ktorá použije litografické riešenie EUV. 250 W maximálneho EUV
Zdrojová sila, ktorá je najdôležitejším medzníkom pre zavedenie EUV do veľkoobjemovej výroby, bola vyvinutá spoločným úsilím spoločností Samsung a ASML. Rozmiestnenie litografie EUV prelomí bariéry Mooreovho prispôsobovania právnych predpisov a pripraví pôdu pre generácie polovodičových technológií s jedným nanometrom.
6LPP (6nm Low Power Plus)
Spoločnosť 6LPP prijme jedinečné riešenia Smart Scaling spoločnosti Samsung, ktoré budú začlenené medzi špičkové technológie 7LPP založené na EUV, čo umožní väčšie škálovanie oblastí a výhody s veľmi nízkou spotrebou energie.
5LPP (5nm Low Power Plus)
5LPP rozširuje limit fyzického škálovania štruktúry FinFET implementáciou technologických inovácií z ďalšej generácie procesov, 4LPP, pre lepšie škálovanie a zníženie spotreby.
4LPP (4nm Low Power Plus)
4LPP bude prvou implementáciou architektúry zariadenia ďalšej generácie - štruktúry MBCFETTM (Multi Bridge Channel FET). MBCFETTM je jedinečná technológia spoločnosti GAAFET (Gate All Around FET) spoločnosti Samsung, ktorá využíva zariadenie Nanosheet na prekonanie obmedzení fyzického škálovania a výkonu architektúry FinFET.
FD-SOI (úplne vyčerpané - kremík na izolátore)
Well suited for IoT applications, Samsung will gradually expand its 28FDS technology into a broader platform offering by incorporating RF (Radio Frequency) and eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory) options. 18FDS is the next generation node on Samsung's FD-SOI roadmap with enhanced PPA (Power/Performance/Area). Sources: Samsung Newsroom, eeTimes
Toto oznámenie tiež poukazuje na to, že spoločnosť Samsung opakovane používala technológiu EUV (Extreme Ultra Violet) na výrobu oblátok, čo je technológia, ktorá bola dlho považovaná za záchrancu hustejších procesov, ale kvôli svojej komplexnosti bola nakoniec vytlačená z prijatia na trh. Kelvin Low, hlavný riaditeľ marketingu zlievarne spoločnosti Samsung, uviedol, že „magické číslo“ produktivity (ako v prípade udržateľného pomeru investícií a návratnosti) pri EUV je 1 500 doštičiek denne. Spoločnosť Samsung už prekročila 1 000 doštičiek denne a má vysokú mieru istoty, že je možné dosiahnuť 1 500 doštičiek denne.
Najnovšie technológie a riešenia zlievárenských procesov spoločnosti Samsung predstavené na výročnom fóre Samsung Foundry Forum zahŕňajú:
8LPP (8nm Low Power Plus)
8LPP poskytuje najkonkurenčnejšiu výhodu mierky pred prechodom na litografiu EUV (Extreme Ultra Violet). Kombinácia kľúčových inovácií procesov z 10nm technológie spoločnosti Samsung ponúka 8LPP v porovnaní s 10LPP ďalšie výhody v oblasti výkonu a hustoty brány.
7LPP (7nm Low Power Plus)
7LPP bude prvou technológiou v oblasti polovodičov, ktorá použije litografické riešenie EUV. 250 W maximálneho EUV
Zdrojová sila, ktorá je najdôležitejším medzníkom pre zavedenie EUV do veľkoobjemovej výroby, bola vyvinutá spoločným úsilím spoločností Samsung a ASML. Rozmiestnenie litografie EUV prelomí bariéry Mooreovho prispôsobovania právnych predpisov a pripraví pôdu pre generácie polovodičových technológií s jedným nanometrom.
6LPP (6nm Low Power Plus)
Spoločnosť 6LPP prijme jedinečné riešenia Smart Scaling spoločnosti Samsung, ktoré budú začlenené medzi špičkové technológie 7LPP založené na EUV, čo umožní väčšie škálovanie oblastí a výhody s veľmi nízkou spotrebou energie.
5LPP (5nm Low Power Plus)
5LPP rozširuje limit fyzického škálovania štruktúry FinFET implementáciou technologických inovácií z ďalšej generácie procesov, 4LPP, pre lepšie škálovanie a zníženie spotreby.
4LPP (4nm Low Power Plus)
4LPP bude prvou implementáciou architektúry zariadenia ďalšej generácie - štruktúry MBCFETTM (Multi Bridge Channel FET). MBCFETTM je jedinečná technológia spoločnosti GAAFET (Gate All Around FET) spoločnosti Samsung, ktorá využíva zariadenie Nanosheet na prekonanie obmedzení fyzického škálovania a výkonu architektúry FinFET.
FD-SOI (úplne vyčerpané - kremík na izolátore)
Well suited for IoT applications, Samsung will gradually expand its 28FDS technology into a broader platform offering by incorporating RF (Radio Frequency) and eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory) options. 18FDS is the next generation node on Samsung's FD-SOI roadmap with enhanced PPA (Power/Performance/Area). Sources: Samsung Newsroom, eeTimes