Spoločnosť Samsung uvádza na trh 800 GB Z-SSD pre systémy HPC a AI
Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has launched an 800-gigabyte (GB) solid state storage drive-the SZ985 Z-SSD, for the most advanced enterprise applications including supercomputing for AI analysis. Developed in 2017, the new 800 GB Z-SSD provides the most efficient storage solution for high-speed cache data and log data processing, as well as other enterprise storage applications that are being designed to meet rapidly growing demand within the AI, big data and IoT markets.
„S naším špičkovým 800 GB Z-SSD očakávame, že v blízkej budúcnosti významne prispejeme k uvedeniu superpočítačových systémov novej generácie na trh, čo umožní zvýšenie efektívnosti investícií do IT a mimoriadny výkon,“ povedal Jinman Han, senior viceprezident spoločnosti Memory Produktové plánovanie a aplikačné inžinierstvo v spoločnosti Samsung Electronics. „Budeme naďalej vyvíjať nové generácie Z-SSD novej generácie s vyššou hustotou a väčšou konkurencieschopnosťou produktov, aby sme vedeli odvetvie v zrýchľovaní rastu prémiového trhu SSD.“
Nový jednotný port so štyrmi jazdnými pruhmi Z-SSD je vybavený čipmi Z-NAND, ktoré poskytujú 10-krát vyšší výkon čítania buniek ako 3-bitové čipy V-NAND, spolu s 1,5 GB LPDDR4 DRAM a vysokovýkonným kontrolérom. Vyzbrojený niektorými najpokročilejšími komponentmi tohto odvetvia, 800 GB Z-SSD má 1,7-krát rýchlejší výkon pri náhodnom čítaní pri 750 K IOPS a päťkrát kratšiu latenciu zápisu - pri 16 mikrosekundách v porovnaní s NVMe SSD PM963, ktorý je založený na 3 -bitové čipy V-NAND. Z-SSD poskytuje aj rýchlosť náhodného zápisu až do 170 K IOPS.
Vďaka svojej vysokej spoľahlivosti garantuje Z-SSD s kapacitou 800 GB až 30 zápisov za deň (DWPD) po dobu piatich rokov, teda celkom 42 petabajtov. To znamená, že sa počas päťročného obdobia uloží celkom asi 8,4 milióna 5 GB ekvivalentných filmov s plným HD. Spoľahlivosť nového Z-SSD je ďalej zdôraznená medzičasom medzi poruchami (MTBF) dva milióny hodín.
Samsung will introduce its new Z-SSD in 800 GB and 240 GB versions, as well as related technologies at ISSCC 2018 (International Solid-State Circuits Conference), which will be held February 11-15 in San Francisco.
„S naším špičkovým 800 GB Z-SSD očakávame, že v blízkej budúcnosti významne prispejeme k uvedeniu superpočítačových systémov novej generácie na trh, čo umožní zvýšenie efektívnosti investícií do IT a mimoriadny výkon,“ povedal Jinman Han, senior viceprezident spoločnosti Memory Produktové plánovanie a aplikačné inžinierstvo v spoločnosti Samsung Electronics. „Budeme naďalej vyvíjať nové generácie Z-SSD novej generácie s vyššou hustotou a väčšou konkurencieschopnosťou produktov, aby sme vedeli odvetvie v zrýchľovaní rastu prémiového trhu SSD.“
Nový jednotný port so štyrmi jazdnými pruhmi Z-SSD je vybavený čipmi Z-NAND, ktoré poskytujú 10-krát vyšší výkon čítania buniek ako 3-bitové čipy V-NAND, spolu s 1,5 GB LPDDR4 DRAM a vysokovýkonným kontrolérom. Vyzbrojený niektorými najpokročilejšími komponentmi tohto odvetvia, 800 GB Z-SSD má 1,7-krát rýchlejší výkon pri náhodnom čítaní pri 750 K IOPS a päťkrát kratšiu latenciu zápisu - pri 16 mikrosekundách v porovnaní s NVMe SSD PM963, ktorý je založený na 3 -bitové čipy V-NAND. Z-SSD poskytuje aj rýchlosť náhodného zápisu až do 170 K IOPS. Vďaka svojej vysokej spoľahlivosti garantuje Z-SSD s kapacitou 800 GB až 30 zápisov za deň (DWPD) po dobu piatich rokov, teda celkom 42 petabajtov. To znamená, že sa počas päťročného obdobia uloží celkom asi 8,4 milióna 5 GB ekvivalentných filmov s plným HD. Spoľahlivosť nového Z-SSD je ďalej zdôraznená medzičasom medzi poruchami (MTBF) dva milióny hodín.
Samsung will introduce its new Z-SSD in 800 GB and 240 GB versions, as well as related technologies at ISSCC 2018 (International Solid-State Circuits Conference), which will be held February 11-15 in San Francisco.